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  1. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Korea.)
  2. (Korea Electrotechnology Research Institute, Korea.)
  3. (Dept. of Mechanical Engineering, Ajou University, Korea.)



Solenoid valve, fault diagnosis, equivalent electric circuit, numerical analysis

1. 서 론

기계 시스템을 구성하는 부품 혹은 기기의 고장은 그 자체로 사고가 발생할 수 있고, 더 나아가 다른 부품에 악영향을 끼쳐 전체 시스템의 성능을 저하 시킬 수 있다. 솔레노이드 밸브는 선박, 차량 등 이동 수단부터공장, 발전소 등의 생산시설까지 유체의 흐름을 제어하는 배관 시설이 있는 다양한 곳에서 폭넓게 사용된다(1-4). 선박에서는 유압조타장치에 솔레노이드 밸브가 사용되는데, 이 밸브가 고장 날 경우 배의 선회 능력에 영향을 줘 큰 인명피해로 이어질 수 있게 된다. 따라서 원자력 발전소의 냉각재 배기 장치, 철도의 제동 장치 등 안전성이 우선시되는 곳에서는 고장 진단을 통해 미연에 사고를 방지하는 것이 필수적이다.

안전성의 측면뿐만 아니라 경제성의 측면에서도 고장 진단이 필요하다. 제품을 생산하는 공장에서도 다양한 화학물 처리를 위한 배관 시설이 많이 존재한다. 이를 제어하는 솔레노이드 밸브에 고장이 발생할 경우, 생산 시스템의 중단으로 인해 금전적 피해가 생길 수 있다. 밸브의 고장 진단을 통해 시설의 가동률과 효율을 높이고 고장 발생 시에도 원인을 즉시 찾아 신속하게 처리할 수 있게 된다면, 생산 시스템의 경제적인 운영에 도움이 될 것이다(5).

본 논문의 목표 모델인 위치제어 솔레노이드 구동 밸브의 구조는 그림 1과 같다. 그리고 밸브 구동부의 구조를 간단화한 개념도가 그림 2이다. 솔레노이드 밸브의 동작 원리는 두 자성체의 자화에 의한 릴럭턴스 힘이다. PWM 방식을 이용해 코일에 인가되는 전압을 조정하고, 이 전압에 의해 코일에 전류가 흘러 자성체를 자화시킨다. 듀티비에 따라 평균 전압의 크기가 변하고 자성체의 자화도, 이어서 발생 힘까지 영향을 받으므로 이를 이용해 밸브를 제어한다. 특히 원전에서 사용 중인 밸브는 보다 정밀한 제어를 위해 LVDT(Linear variable displacement transducer) 센서를 사용해 플런저와 코어의 위치를 제어부로 피드백한다. 현재 이 밸브는 원자력 발전소의 배기 시스템에 주로 사용되고 있으며, 본 논문에서는 이 밸브에 대한 고장진단법을 제안한다.

일반적으로 고장 진단은 센서를 이용해 어떤 변수에 대해 초기와 현재의 측정값의 비교를 통해 이루어진다. 본 논문에서 제안하는 솔레노이드 밸브의 고장 진단법도 마찬가지인데, 밸브의 초기 상태와 현재 상태의 전류 파형을 비교해 고장을 진단한다. 하지만 현재 상태의 전류 파형은 제어부의 듀티비와 자성체의 위치에 따라 변하기 때문에, 고장진단을 위해서는 상당량의 초기 상태 전류 데이터가 필요하다.

Fig. 1. Position control solenoid valve of nuclear plants

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고장 진단에 사용될 초기 상태의 전류데이터 제공을 위해 등가 전기회로를 이용한다. 등가 전기회로의 경우 해석 시간이 빠른 장점이 있다. 하지만 회로 파라미터의 값이 고정되어 있을 경우 한정된 전류 데이터를 제공한다. 이를 해결하기 위해 SOV의 수치해석 모델을 구성하고 자성체의 위치와 듀티비에 따른 회로 파라미터 값을 산출 및 보간하여 등가회로에 반영한다. 보간된 회로 파라미터는 밸브의 현재 상태에 따라 값이 조정되고, 이에 따라서 등가 회로는 고장 진단을 위한 실시간 전류 데이터 제공이 가능해진다.

본 논문에서는 솔레노이드 밸브의 전기 등가회로를 이용한 실시간 고장진단법을 제안한다. 이 등가회로의 구성을 위해 먼저 SOV 수치해석 모델을 구성하여 전자기적 특징과 출력 전류 파형을 파악하고, 이를 반영하여 등가회로 모델을 선정한다. 또한 수치해석 모델은 밸브 상태에 따라 변하는 등가회로 파라미터 계산에 활용된다. 듀티비와 플런저 위치에 따른 반복적인 수치해석으로부터 회로 파라미터 값을 산출하고, 이를 보간하여 시뮬레이션으로 구성된 등가회로에 반영한다. 시뮬레이션과 수치해석 간의 전류 파형 비교를 통해 구성된 등가회로의 정확성을 확인하고 제안하는 고장진단법의 유효성을 검토한다.

2. 솔레노이드 밸브의 구조 및 구동부의 수치해석 모델 구성

고장 진단을 위해 먼저 솔레노이드 밸브의 구조와 구동부의 동작원리를 파악하고, 주요 고장부를 알아본다. SOV의 입력전류 파형의 특성과 전자기적 특성, 회로 파라미터의 산출을 위해 해석 모델을 수립한다. 솔레노이드 밸브의 구동부는 자기력을 발생시킨다. 따라서, 자기력에 영향을 주는 자성체와 도전체를 중심으로 해석모델을 수립한다. 코일의 점적률, 저항 값 등은 원전에서 사용중인 모델과 일반적으로 사용되는 SOV의 데이터 시트를 참고하여 모델링을 진행한다.

2.1 솔레노이드 구동 밸브의 구조 및 동작원리

Fig. 2. Conceptual diagram of the driving part of SOV

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위치제어 솔레노이드의 구조는 제어부, 구동부, 기계부로 이루어져 있다. 제어부는 PWM 제어 방식으로 LVDT센서를 통해 플런저의 현재 위치를 피드백 받아 코일에 인가되는 전압 파형의 듀티비를 제어한다. 구동부는 솔레노이드 액츄에이터이며 코일, 코어, 플런저로 구성된다. 그림 2에서 보듯, 코어의 한 쪽은 고정되어 있고 다른 쪽은 플런저와 일체형이며 스프링에 달려있어 움직일 수 있다. 코일에 전원이 인가되면 자기장이 발생하고, 코어를 자화시킨다. 이 때 두 코어 사이에 자기력이 발생해 플런저가 스프링에 저항하여 움직이고, 밸브가 동작한다. 기계부는 그 외의 실질적인 밸브의 구조물, 외함, 스프링 등으로 이루어져 있다.

Table 1. Major failure part of driving part of SOV

Part

Failure causes

Results

Core/ plunger

*Surface wear due to repetitive motion

*Corrosion from exposure to process fluids

*Reduction of generating force

Coil

*Insulator deterioration and breakdown due to Joule heating

*External factors due to coil housing corrosion

*Partial short/ open occurence

2.2 SOV 구동부의 주요 고장부

SOV 구동부의 고장은 주로 코일과 플런저에서 많이 나타나다. 표 1은 일반적인 솔레노이드 밸브의 주요 고장 원인과 그에 따른 문제점을 정리한 것이다(6). 위의 고장 유형을 참고하여 등가 회로를 이용한 고장진단 방법의 수치해석검증을 위해 사용한다.

2.3 솔레노이드 구동 밸브의 수치해석 모델 수립

Fig. 3. Numerical model of SOV operating part

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수치해석을 통해 입력 전류 특성과 와전류 및 누설 자속 등의 전자기적 특징들을 관찰하고, 등가회로의 파라미터의 산출을 위해 해석 모델을 수립한다. 모델 수립을 위해 일반적인 SOV와 원전에서 사용중인 모델의 특징을 고려해 구동부를 중심으로 해석 모델을 구성한다. 원전에서 사용중인 솔레노이드 밸브는 원통형 구조이므로 축 대칭 모델로 결정하고, 실시간 PWM 파형에 대한 해석을 진행하기 위해 과도 해석으로 진행한다.

솔레노이드 밸브의 구동부는 자기 시스템이므로 자기장에 영향을 주는 자성체와 와전류가 형성되는 도전체를 중점적으로 구성한다. 따라서 그림 3과 같이 높은 투자율과 도전성을 갖는 자성체와 도체를 중심으로 해석 모델을 구성한다. 재료의 형상은 그림 1의 단면도를 참고하여 구성했다. 자성체의 경우 비선형성을 고려하였으며, 높은 주파수와 도전율로 인해 와전류가 발생하는 도체 영역은 표피 효과를 고려해 해석한다.

일반적인 솔레노이드 밸브와 코일의 데이터시트를 참고하여 코일의 저항을 24Ω, 턴 수는2000, 입력 전압은 24V, 1000Hz로 설정하였다. 코일은 구리이며, 코어는 철, 플런저는 투자율 없고 도전율만 있는 재료로 가정한다. 그 외 다른 재료의 물질 상수는 공기의 투자율과 도전율을 채택하였다. 코일의 표피효과와 코어의 히스테레시스 손실은 와전류 손실에 비해 시스템 성능에 끼치는 영향이 미미할 것으로 판단해 무시하였다. 와전류 손실은 자기장이 시간에 따라 변하는 경우와 도체 영역이 자기장에 상대적으로 이동할 때 발생한다. 본 논문에서 제안하는 고장 진단 방법은 플런저의 움직임이 정상상태(steady state)일 때 진행하므로 자기장의 시간 변화에 따른 와전류만 고려한다.

3. 솔레노이드 구동 밸브의 등가 전기회로 및 고장진단법

고장 진단을 위한 초기 전류 파형 제공을 위해 등가회로를 구성한다. 고장 진단에 사용되는 기기의 초기 상태 전류 파형을 제공하기 위해 플런저의 위치와 듀티비에 따른 반복적인 수치해석을 통해 회로 파라미터를 산출하고, 이 값들을 보간법을 통해 함수화한다. 그리고 등가 회로의 전류 파형의 평균값 및 전류 리플을 측정되는 전류 파형과 비교하여 기기의 고장을 판단한다.

3.1 등가 전기 회로

Fig. 4. Equivalent electric circuit of SOV

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등가 전기회로는 변압기 등가회로를 이용한다. 원전에서 사용하는 솔레노이드 밸브는 원통형으로 코어의 적층이 힘든 구조이기 때문에 와전류 손실이 상당하다. 따라서 밸브를 구동시키는 전류에 와전류가 미치는 영향이 있고, 이를 고려하기 위하여 변압기의 2차 측에서 와전류의 영향을 고려한다.

솔레노이드 밸브 구동부의 등가회로는 그림 4와 같다(7). 1차 측은 코일의 저항 $R_{c}$, 와전류 영역에 쇄교되지 않은 누설 자속에 대한 인덕턴스 $L_{1}$, 자화 인덕턴스 $L_{m}$으로 구성된다. 2차 측은 와전류 손실에 대응되는 저항 Re, 와전류에 의한 자화인덕턴스 Lm,e로 이루어진다. 2차 측에서 와전류 손실을 고려하므로 1차 측의 코어 손실을 나타내는 저항을 제거했다. 또한 2차 측의 누설 인덕턴스가 입력 전류 i1에 미치는 영향이 매우 작아 생략하였다. 2차 측의 회로 파라미터는 턴수 비의 제곱을 곱하여 1차 측으로 이동시킬 수 있으므로, 최종적인 등가회로는 그림 5와 같다.

Fig. 5. Resulted equivalent circuit of SOV

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3.2 회로 파라미터 및 힘 계수 산출 및 함수화

최종 도출된 SOV 등가회로 모델에서 코일 저항을 제외하고 모든 파라미터가 플런저의 위치(x)와 듀티비(D)에 영향을 받는다. 인덕턴스는 자성체의 구조와 투자율에 따라 변한다. 와전류 손실에 대응되는 저항은 와전류 영역에 형성되는 자기장의 영향을 받는다. 밸브가 동작하며 코어와 플런저의 위치가 변하고, 듀티비와 시간에 따라 전류 값이 변화해 투자율이 비선형적으로 변한다. 그리고 이에 따라 자기장이 형성된다. 따라서, x와 D에 따라 반복적으로 수치해석을 진행하며 시간에 따른 평균으로 회로 값을 산출한다. 표 2는 반복적 수치해석을 위한 플런저 위치와 듀티비를 나타낸다.

Table 2. Plunger position and duty ratio for numerical analysis

Range

Step(n equals)

Plunger position

(x, Stroke: 0.0044)

0~0.0039[m]

0.00055

(8 equals)

Duty ratio (D)

0.1~0.9

0.1 (9 equals)

수치해석은 그림 6과 같이 특정 플런저 위치와 듀티비에서 총 3단계로 진행된다. 등가회로에서 언급했듯, 와전류의 영향을 변압기 등가회로의 2차 측으로 고려했기 때문에 코일 측 인덕턴스에 미치는 와전류의 영향을 배제해야한다. 따라서 1단계에서는 SOV의 시스템 해석을 진행하고, 2단계, 3단계에서는 시스템 해석을 통해 구한 코일 전류와 와전류의 분포를 각각 독립적인 소스로 입력해 해석을 진행한다.

Fig. 6. Three step numerical analysis for calculating circuit parameters

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Fig. 7. Area for calculating the average value of magnetic vector potential

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각 단계에서 자화인덕턴스는 자기에너지(Wm)와 전류의 관계 $W_{m}$=Li2/2를 이용해 구한다. 한편, 와전류 손실의 저항은 와전류 분포에 따라 저항이 변하기 때문에 계산이 어렵다. 따라서, 와전류에 의한 열 손실을 통해 저항을 계산한다. 누설 인덕턴스는 다음의 식을 이용하여 구한다. 식(1) $\Phi_{l}$은 누설 자속이고, $N_{1}$은 턴 수이다. 자속은 식(2)와 같이 자기 벡터 포텐셜 A를 폐곡선 적분하여 계산한다. 코일과 와전류 영역에 쇄교하는 자속을 그림 7과 같이 각 영역에서의 자기 벡터 포텐셜의 평균값을 이용해 구한다. 그 후, 누설 자속을 구하기 위해 두 값의 차를 구한다.

(1)
$L_{l}=\dfrac{N_{1}\Phi_{l}}{i_{1}}$

(2)
$\Phi_{l}=\oint {A}\bullet{d}{l}$

반복적인 수치해석을 통해 산출된 각 플런저 위치, 듀티비에서 회로 파라미터 값을 그림 8과 같이 보간하여 함수화한다. 따라서, 연속적인 플런저 위치와 듀티비 입력에 대해 회로 파라미터가 결정되고, 등가 회로에서 전류 파형의 기준값을 출력한다.

Fig. 8. Interpolation-Magnetizing Inductance

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3.3 등가 회로를 이용한 고장 진단 방법

가동 중 SOV의 반복적인 동작, 혹은 코일의 열에 의해 코어 표면의 마모, 그로 인한 공정 유체의 유출, 코일의 열화 등으로 고장이 발생될 수 있다. 고장이 발생되면 부품의 구조와 모양이 변하게 되고, 등가회로 관점에서 보면 이로 인하여 회로 파라미터의 값이 변하게 된다. 결과적으로 그림 9와 같이 출력 전류 파형의 평균값과 리플이 변하게 된다.

Fig. 9. Current waveform in initial and fault state

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SOV 입력 전류의 평균값은 코일 저항의 영향을 크게 받는다. 따라서 평균 전류의 값의 변화를 통해 코일의 고장을 진단할 수 있다. 그리고 전류 리플의 변화는 인덕턴스의 영향을 크게 받는다. 따라서 자성체의 마모가 발생하면 전류의 리플 차이가 심해진다. 따라서 등가 회로와 실제 측정하는 전류의 평균및 리플 값의 차이를 비교해 고장을 판단한다.

(3)
$\triangle i_{avg}=i_{1,\: avg_{-}lumped}-i_{1,\: avg_{-}real}$

(4)
$\triangle i_{ripple}=\triangle i_{1,\: lumped}-\triangle i_{1,\: real}$

여기에서 $i_{1,\: avg_{-}real}$과$\triangle i_{1,\: real}$는 수치 해석을 통해 계산된 값이고, $i_{1,\: avg_{-}lumped}$과 $\triangle i_{1,\: lumped}$는 등가 회로에서 출력된 값이다.

4. 등가 회로 정확성 평가 및 고장 진단법의 유효성 검증

이 섹션에서는 등가 회로와 수치해석 전류 파형의 오차를 비교해 고장진단법의 실현 가능성을 검토한다. 그리고 구동부 주요 고장 유형을 시뮬레이션으로 구현하여 등가 회로를 이용한 고장 진단법의 유효성을 검증한다. 그림 10은 고장 유형을 수치해석으로 구현한 것이다. 코일 고장의 경우 부분적인 단선이나 개방에 의해 저항이 변했다고 가정한다. 그리고 코어는 코어 와의 충돌, 혹은 플런저 및 가이더와의 마찰로 인한 표면 마모를 가정한다.

4.1 등가 회로 및 수치 해석 결과의 비교

먼저 등가 회로의 정확성을 판단하기 위해 수치 해석의 결과와 비교한다. 그림 11은 위치 0, 듀티비 범위 0.1~0.9에 대해 비교한 전류 파형 그래프이다. 그림 12는 두 위치에 대한 전류의 평균값과 리플의 오차율을 나타낸다. 평균 전류의 값의 오차는 듀티비가 0.1일 때를 제외하고5%이내이다. 낮은 듀티비에서 흐르는 전류 값이 낮아 상대적으로 오차가 크게 나타난다. 전류리플의 경우는 오차가 상당하다. 따라서 전류 리플을 비교할 때 주 동작 구간인 듀티비 0.3~0.7에서 고장을 진행해야 한다(8). 따라서 수치해석 고장 상태 비교 역시 듀티비 0.5에서 진행한다.

4.2 고장 상태와 등가 시스템의 출력 전류 비교

고장이 발생할 경우, 인덕턴스와 저항의 변화에 의해 솔레노이드 밸브의 입력 전류 파형이 변하게 된다. 이 섹션에서는 고장 상태의 SOV 수치해석 전류 파형을 등가 회로의 전류 파형과 비교하여 제안하는 고장 진단법의 유효성을 검증한다. 그림 13은 x = 0, D = 0.5에서 등가 회로와 수치 해석 전류를 비교한 것이다. 각 그래프에는 에는 전류의 평균값 $i_{avg}$와 리플 $\triangle i_{1}$을 표기했고, 이들의 차이를 아래에 표로 정리하였다.

Fig. 10. Implementation of failure types

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Fig. 11. Current waveform of equivalent circuit and numerical analysis

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Fig. 12. Error of current values according to duty ratio change

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Fig. 13. Compatison of current of equivalent circuit and current of numerical model with fault conditions

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코일 고장의 경우 등가회로 입력단의 저항의 변화가 일어나 전류의 평균값에 크게 영향을 미친다. 그림 13의 정리한 표를 통해 전류의 평균 값의 차가 0.028로 나타난 것을 확인할 수 있다. 전류의 평균값이 변하며 투자율의 비선형성에 의해 전류의 리플까지 영향을 받는 것을 확인 가능하다. 마모에 의해 코어와 플런저의 모양이 변할 경우인덕턴스에 직접적인 영향을 미친다. 이럴 경우 평균값의 변화로 고장을 판단하기보다 전류의 리플 변화로 판단하는 것이 용이하다. 코어 고장의 경우 전류 리플이 등가 회로와 비교해 0.0017 커진 것을 알 수 있다.

위 결과를 통해 고장 상태와 정상 상태의 수치해석 및 등가회로 전류 파형의 유의미한 차이를 확인하였다. 정확도를 고려하면 솔레노이드 밸브의 최대 동작 전류의 30% 이상에서 전류의 평균값과 리플을 비교하는 것이 고장을 판단하기에 적합하다. 실제 제품에 적용할 때 전류 평균 값과 리플의 차에 대한 한계치를 정하고, 한계치에 다다랐을 때 점검을 통해 고장을 예방한다면 시스템의 경제적이고 효율적인 운영에 도움이 될 것으로 판단된다.

5. 결 론

본 논문에서는 등가 전기회로를 이용한 위치제어 솔레노이드 밸브의 구동부 고장 진단법을 제시하였다. 고장 진단 방법은 초기 상태와 현재 상태의 전류 파형을 비교해 진행한다. 가동 중인 솔레노이드 밸브의 전류 파형은 플런저 위치와 제어부 듀티비에 따라 변하는데, 이를 등가회로를 이용하여 해결하였다. 고장 진단을 위한 등가 회로는 회로 파라미터를 함수화하여 밸브 구동 전류와 비교를 위한 초기 상태 전류를 출력할 수 있다. 실제 솔레노이드 밸브에서 발생하는 주요 고장을 수치해석 모델로 구현하였고, 이를 이용하여 등가회로의 정확성을 검토하고 고장 진단법의 유효성을 검증하였다. 시뮬레이션 비교 결과, 등가회로의 오차를 고려해 밸브 최대 동작 전류의 30% 이상이 고장 진단을 하기에 적합한 구간임을 확인했고, 수치해석을 활용한 고장 진단법의 유효성 검증에서 고장 발생 시 전류의 평균값과 리플의 차이가 유의미하게 나타나는 것을 확인하였다.

Acknowledgements

본 연구는 원자력안전위원회의 재원으로 한국원자력안전재단의 지원을 받아 수행한 원자력안전연구사업의 연구결과입니다. (No. 1805007)

References

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저자소개

Jun-Seong Lee
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성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과의 석박통합과정으로 재학 중인 학생으로 전자장 시뮬레이션, 전자기시스템 최적화 등의 연구를 진행.

Seung-Geon Hong
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한국전기연구원 창원본원의 해석기술지원실 박사 후 과정으로 전자장 시뮬레이션, 전자기시스템 최적화 등의 연구를 진행.

John-Oh Park
../../Resources/kiee/KIEE.2020.69.12.1983/au3.png

성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과의 석박통합과정으로 재학 중인 학생으로 전자장 시뮬레이션, 전자기시스템 최적화 등의 연구를 진행.

Jang-Bom Chai
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아주대학교 기계공학과의 교수로서 기계의 상태 감시 기술 등의 연구를 진행.

Il-Han Park
../../Resources/kiee/KIEE.2020.69.12.1983/au5.png

성균관대학교 전자전기공학과에서 교수로서 전자장 시뮬레이션, 전자기시스템 최적화 등의 연구를 진행.